لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
دسته بندی : وورد
نوع فایل : word (..doc) ( قابل ويرايش و آماده پرينت )
تعداد صفحه : 85 صفحه
قسمتی از متن word (..doc) :
1
1
فصل اول
مشخصات JFET
1ـ1 مقدمه
ترانزيستور اثر ميداني (يا به اختصار FET) قطعه‌اي سه پايانه است كه در موارد بسياري بكار مي‌رود و در مقياس وسيعي با ترانزيستور BJT رقابت مي‌كند. اگرچه اختلافات مهمي بين اين دو نوع قطعه وجود دارد اما تشابه بسياري نيز بين آنها وجود دارد كه در بخشهاي بعد به آن اشاره خواهد شد.
اختلاف نخست بين او دو نوع ترانزيستور در آن است كه ترانزيستور BJT همانگونه كه در شكل (الف 1ـ1) نشان داده شد يك قطعه كنترل جريان است، در حاليكه ترانزيستور JFET همانگونه كه در شكل (ب 1ـ1) ديده مي‌شود يك قطعه كنترل ولتاژ است. به بيان ديگر، جريان IC در شكل (الف 1ـ1) تابع مستقيم مقدار IB است. در FET جريان I تابعي از ولتاژ VGS است كه مطابق شكل (ب 1ـ1) به ورودي مدار اعمال مي‌شود. در هر حالت جريان مدار خروجي با يك پارامتر ورودي كنترل مي‌شود. در يك حالت بوسيله جريان و در ديگري بوسيله ولتاژ اعمال شده.
1
2
شكل (1ـ1) (الف) تقويت كننده كنترل جريان (ب) تقويت كننده كنترل ولتاژ
درست مانند ترانزيستورهاي npn و pnp قطبي، ترانزيستورهاي اثر ميداني نيز از دو نوع كانال n و كانال p هستند. از اينرو، مهم است به خاطر داشته باشيد كه ترانزيستور BJT يك قطعه دو قطبي (bipolar) است. يعني ميزان هدايت در آن تابع دو نوع حامل است: الكترونها و حفره‌ها. FET قطعه‌اي تك‌قطبي است كه فقط به هدايت اكلترون در (كانال n) و يا حفره (كانال p) وابسته است.
عبارت «اثر ميداني در نام اين ترانزيستور با خود توضيحاتي را بهمراه دارد. ما همه با توانايي يك مغناطيس دائمي آشنا هستيم كه براده‌هاي فلزي را بدون تماس واقعي به سوي خود مي‌كشد. ميدان مغناطيسي يك مغناطيس دائمي براده‌هاي آهن را در امتداد خطوط شار مغناطيسي جذب مي‌كند. در FET، بوسيله بارهاي آن ميدان الكتريكي بوجود مي‌آيد كه مسير هدايت جريان خروجي را كنترل مي‌كند بدون تماس مستقيم بين كنترل كننده و كميتهاي كنترل شونده.
1
4
اين تمايل طبيعي است كه دومين قطعه را با تعدادي از كاربردهاي مشابه قطعه اول معرفي كرده و برخي مشخصه‌هاي آن را با هم مقايسه كنيم. يكي از مهمترين شاخصه‌اي FET، امپدانس ورودي زياد آن است. مقاومت ورودي آن در اندازه‌هاي 1 تا چند صد مگااهم از مقاومت ورودي ترانزيستور BJT بيشتر مي‌شود. و اين شاخصه‌اي است كه در طراحي سيستمهاي تقويت ac خطي بسيار مهم است. به به عبارت ديگر، با ولتاژ اعمال شده يكسان تغيير در جريان خروجي معمولاً براي BJT بيشتر از FETها است. به همين دليل، معمولاً بهره ولتاژ ac تقويت كننده‌هاي BJT خيلي بيشتر از FETهاست. بطور كلي، FETها در مقابل حرارت با ثبات‌تر از BJTها هستند. FETها معمولاً از نظر ساختمان از BJTها كوچكترند و اين امر بطور ويژه كاربردشان را در تراشه‌هاي مدار مجتمع (آي‌سي) كارآمد مي‌سازد. مشخصه‌هاي ساختمان برخي FETها در بكارگيري آنها بسيار موثر است.
دو نوع FET در اين فصل معرفي مي‌شود: ترانزيستور اثر ميداني پيوندي (JFET) و ترانزيستور اثر ميداني اكسيد فلز (MOS-FET)، دسته MOSFET خود به دو نوع تهي و افزايشي تقسيم مي‌شوند كه هر دو نوع آن شرح داده مي‌شوند. ترانزيستور MOSFET يكي از مهمترين قطعات مورد استفاده در طراحي و ساخت مدارهاي مجتمع كامپيوترهاست. ثبات حرارتي، و ديگر مشخصه‌هاي اصلي آنها، كاربردشان را در طراحي مدارهاي كامپيوتري متداول ساخته است
1
5
.
2ـ1ـ ساختمان و مشخصه‌هاي JFETها
همانگونه كه پيش از اين نشان داده شد، JFET يك قطعه سه پايانه است كه يك پايانه آن قادر است جريان بين دو پايانه ديگر را كنترل كند. در ترانزيستور JFET، قطعة با كانال n به مثابه قطعه اصلي و مهم به تفصيل شرح داده خواهد شد ولي بخش‌هايي براي توضيح JFET كانال p نيز اختصاص خواهد داشت.
ساختمان اصلي JFET كانال n در شكل (2ـ1) نشان داده شده است. توجه كنيد كه قسمت اصلي ساختمان JFET را ماده كانال n تشكيل مي‌دهد كه لايه‌هاي ماده نوع P در طرفين آن جاي داده شده است. قسمت فوقاني كانال n بوسيله يك اتصال اهمي به پايانه‌اي به نام درين (D) متصل است. دو ماده نوع p به يكديگر و به پايانه‌اي موسوم به گيت (G) وصل است. بنابراين، اساساً درين و سورس به دو انتهاي كانال نوع n و گيت به دو لايه نوع p وصل مي‌شود. در نبودن يك پتانسيل و تغذيه نشدن، JFET داراي دو پيوند p-n است. در نتيجه يك ناحيه تهي مطابق شكل (2ـ1) در هر پيوند بوجود مي‌آيد كه به ناحيه مشابه آن در ديود بدون ولتاژ شباهت دارد. به ياد داشته باشيد كه ناحيه تهي، ناحيه‌اي است خالي از حاملهاي آزاد و بنابراين ناتوان از هدايت در اين ناحيه.
برچسب ها:
تحقیق ترانزيستور اثر ميداني 90 ص ترانزيستور اثر ميداني 90 ص دانلود تحقیق ترانزيستور اثر ميداني 90 ص ترانزيستور اثر ميداني تحقیق ترانزيستور ميداني